北京英飛凌IGBT模塊判斷極性

　　

　　首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測(cè)量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極(G)其余兩極再用萬用表測(cè)量，若測(cè)得阻值為無窮大，調(diào)換表筆后測(cè)量阻值較小。在測(cè)量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。

　　

　　北京英飛凌IGBT模塊判斷好壞

　　

　　將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接三菱IGBT的集電極(C)，紅表筆接IGBT的發(fā)射極(E)，此時(shí)萬用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和集電極(C)，這時(shí)IGBT被觸發(fā)導(dǎo)通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E)，這時(shí)IGBT被阻斷，萬用表的指針回零。此時(shí)即可判斷三菱IGBT是好的。

　　

　　北京英飛凌IGBT模塊檢測(cè)注意事項(xiàng)

　　

　　任何指針式萬用表皆可用于檢測(cè)IGBT。注意判斷北京英飛凌IGBT模塊好壞時(shí)，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT導(dǎo)通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。